源网体青色和紫色曲线表示双IPCE频带的洛伦兹拟合。

图5.辐射效率与电荷载流子密度的关系在a)0%-PEOXA和b)7.5%-PEOXA情况下，荷储化问辐射效率与电荷载流子密度的关系。建议图2.CH3NH3PbI3薄膜的FDTAD结果a-d)不同浓度PEOXA的CH3NH3PbI3薄膜的FDTAD结果。

源网体结果表明,随着晶粒尺寸的减小和分子复合速率的提高,分子和俄歇复合的效率越来越高。对于晶体较小的CH3NH3PbI3发光二极管，荷储化问需要低陷阱密度和抑制俄歇复合。建议图3.钙钛矿LED结构和性能a)钙钛矿LED结构和器件不同层的能级图。

【图文导读】图1.CH3NH3PbI3薄膜形貌表征a)0%-PEOXA、源网体b)2.5%-PEOXA、c)5%-PEOXA和d)7.5%-PEOXA的CH3NH3PbI3薄膜的形貌。通过使用多量子阱结构，荷储化问近红外发射钙钛矿型发光二极管的外部量子效率(EQE)已经超过了11.7%。

建议b)电流密度和辐射亮度与电压特性的关系。

由于它们的溶液加工性和低材料成本，源网体这类材料显示出巨大的潜力来满足未来的商业需求。荷储化问在750MPa的拉伸应力下获得的最大超弹性应变为6.8％。

（b）、建议（c）、（d）和（b）、（c）、（d）分别为对应于红色矩形区域的高分辨TEM图像和对应的快速傅立叶变换。由于MT与潜热有关，源网体因此当绝热地施加或去除应力时，应力诱导的MT导致试样温度升高或降低。

荷储化问（a）Ti-44Ni-5Cu-1Al（at％）CR673样品的明场图像和选区衍射图。对于超弹性和弹性热效应，建议高抗疲劳性和良好的可加工性是实际应用的重要因素。